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当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I。当外加的反向电压高到一定程度时，结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

稳压二极管，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。

对于华晶MOS管CS16N10AE而言，其中，开关电源中经常使用的是P-MOSFET和IGBT。选择功率开关管时，应根据变换器类型、功率和可靠性等性能，确定功率开关管的耐压值和导通电流等参数。双极结型晶体管双极结型晶体管BJT是一种舣极型半导体器件，其中大容量的双极结型晶体管义称巨型晶体管GTR，其内部有电子和空穴两种载流子。根据半导体类型的不同，BJT可以分为NPN型和PNP型两种，其中硅功率晶体管多为NPN型。在开关电源中BJT工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区。BJT的开关时间对它的应用有较大的影n向，因此选用BJT时，应注意其开关频率。为了使BJT快速导通，缩短开通时间toff驱动电流必须具有—定幅值，且前沿足够陡峭并有。这样发热区间时间就短，总发热量就低。所以理论上选择Qgs和Qgd小的mos管能快速渡过开关区。导通内阻。Rdson。这个耐压一定情况下是越低越好。不过不同厂家标的内阻是有不同测试条件的。测试条件不同，内阻丈量值会不一样。同一管子，温度越高内阻越大这是硅半导体材料在mos制造工艺的特性，改动不了，能稍改善。所以大电流测试内阻会增大大电流下结温会显着升高，小电流或脉冲电流测试，内阻降低由于结温没有大幅升高，没热积聚。有的管子标称典型内阻和你自己用小电流测试几乎一样，密度，此外，较短的沟道长度町改善驱动电流ID~1/L以及工作时的特性。但是，由于电子器件尺寸的缩减，沟elapproximation的假定。

稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

圆融电子华晶MOS管CS16N10AE，但驱动电路复杂，驱动功率大。GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。光晶体管光晶体管phototransistor由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是镓GaAs，主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快约为50皮秒，但缺点是光敏面积小，增益小放大系数可大于10。

电感：当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来通过线圈中的电流。我们把这种电流与线圈的相互作用关系称其为电的感抗，也就是电感，单位是“亨利”（H）。也可利用此性质制成电感元件。

华晶MOS管CS16N10AE此势牟降低效应会招致电子由源极注入漏极，形成亚阈值电流的增加。因而在短沟道器件中，阂值电压会随漏极电压增加而降低。6.26描绘在高与低的漏极偏压条件下，长与短沟道的n沟道MOSFET的亚阈值特性。随着漏极电压的增加，短沟道器件中亚阈值电流的平行位移[6.26b]显现有显着DIBI.效应存在，本体穿通DIBL形成在Si02/Si的界面构成漏电途径，当漏极电压足够大时，可能也会有显着的漏电流由源极经短沟道MOSFET的本体流至漏极，此也可归因于漏极结耗尽区的宽度会随着漏极电压增加而扩张。在短沟道的MOSFET中，源极结与漏极结耗尽区宽度的总和与沟道长度相当。当漏极电压增加时，漏极结的耗尽区逐步与源极分离并。