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MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中***用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

圆融电子CS15N04AEP-G华晶MOS管，运放的电源需要作认真细致的处理。当然，共模抑制比高的运放，能够补偿一部分电源电压抑制比，另外在使用双电源供电时，正负电源的电源电压抑制比可能不相同。静态功耗运放在给定电源电压下的静态功率，通常是无负载状态下。这里就会有个静态电流IQ的概念，静态电流其实就是指运放在空载工作时自身消耗的电流。这是运放消耗电流的最小值排除休眠状态1摆率运放转换速运放接成闭环条件下，将一个大信号含阶跃信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得运放的输出上升速率。由于在转换期间，运放的输入级处于开关状态，所以运放的反馈回路不起作用，也就是转换速率与闭环增益无关。转换速率对于大信号处理是一个很重要的指标，对于一般运放转换速率SR<=10V/μs。

组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前***先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

关于CS15N04AEP-G华晶MOS管但使用中也发现几点不足：调整管工作在线性状态，工作时功耗高发热大特别是工作压差过大时，不仅要求较大尺寸的散热器，而且降低了用电效率。电源电压要求按公式13与LED工作电压严格匹配，不允许大范围改变。也就是说它对电源电压及LED负载变化的适应性差。它仅能工作在降压状态，不能工作在升压状态。即电源电压必须高于LED工作电压。供电不太方便，一般要配开关稳压电源，不能直接用～220V供电。输入整流：将正负变化的交流电变成单向变化的直流电滤波：将变化的电压波形平滑成波动较小的直流电压波形变压器：储存能量，产生需要的输出电压。原、副边隔离。输出稳压：稳定输出电压取样反馈：将输出电压的变化反映到控制电路，以便采取相应的措施保证输出电压在规定的范围内PWM+开关：控制电路。

MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA，在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

圆融电子CS15N04AEP-G华晶MOS管，一共模抑制比下降6dB是所对应的共模输入电压作为***共模输入电压。***共模输入电压限制了输入信号中的***共模输入电压范围，在有干扰的情况下，需要在中注意这个问题。共模抑制比共模抑制运放工作于线性区时，运放差模增益与共模增益的比值。共模抑制比是一个极为重要的指标，它能够抑制共模干扰信号。由于共模抑制比很大，大多数运放的共模抑制比一般在数万倍或更多，用数值直接表示不方便比较，所以一般采用分贝方式记录和比较。一般运放的共模抑制比在80~120dB之间。电源电压抑制比电源电压抑制运放工作于线性区时，运放输入电压随电源电压的变化比值。电源电压抑制比反映了电源变化对运放输出的影响。所以用作直流信号处理或是小信号处理模拟放大时。

MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的 电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰信号就不会直通了，一般可以10~20K。这个电阻称为栅极电阻。

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