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CS120N06A8-2W华晶MOS管推荐黄埔区这家质量保证

圆融电子CS120N06A8-2W华晶MOS管，MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

CS120N06A8-2W华晶MOS管用符号VGSoff表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲。a结构表示b转移特性曲线。N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线由于耗尽型MOSFET在uGS=0时，漏源之间的沟道曾经存在，所以只需加上uDS，就有iD流通。假设增加正向栅压uGS，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。假设在栅极加负电压即uGS＜0＝，就会在相对应的衬底表面感应出正电荷，这些正电荷抵消N沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压Up时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完好被夹断耗尽，这时即使uDS仍存在，也不会产生漏极电流。

电阻的常见作用：

①上拉电阻：上拉电阻的作用也不尽相同。有些上拉电阻是给芯片的相关引脚提供初始‘高’状态；漏极开路的芯片引脚则通过上拉 从而提供“高”状态的驱动电流（比如三极管的集电极上的电阻）；也有些引脚的上拉电阻是根据芯片的设计要求为芯片的相关功能接口提供偏置设定等等。

②下拉电阻：下拉电阻多是为芯片的功能接口提供偏置设定或补偿设定。比如信号的输入端加一个下拉电阻，可以让芯片上电初始呈现低电平状态。

③分压电阻：为了保证得到精确的所需电压

④终端电阻：在高速信号设计中，有时候需要在信号的源端或终端加一些电阻进行阻抗匹配（阻抗匹配的概念请参考高速信号设计的 相关技术书籍）。主要目的进行阻抗匹配。

对于CS120N06A8-2W华晶MOS管因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压耐压值较高。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–4DO–15或DO–27等规格塑料封装。采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。性能特点1反向恢复时间反向恢复时间tr电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。IF为正向电流，IRM为***反向恢复电流。Irr为反向恢复电流。

MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

CS120N06A8-2W华晶MOS管通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大。在t=t2时刻达到***反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

圆融电子CS120N06A8-2W华晶MOS管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，合适电子喜好者业余制造中采用。下面引见该逆变器的工作原理及制造过程。这里采用六反相器CD4069构成方波信号发作器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而惹起的振荡频率不稳。电路的振荡是经过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/RC.示电路的***频率为：fmax=1/×3.3×103××10-6=6Hz。最小频率fmin=1/×4.3×103××10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实践值会略有差别。其它多余的反相器，输入端接地防止影响其它电路。由于方波信号发作器输出的振荡信号电压***振幅为0~5V。