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　　(3)以圆形硅晶片为基底，在其表面上加工制作成各种电路元件结构，即构成了硅半导体集成电路。单晶硅片和硅晶圆的制造是半导体后续工艺的基础，使用高纯度、大尺寸的单晶硅片进行后续 IC 制造是提高芯片效率的关键。

　　(4)对单晶裸片进行初步加工得到晶圆，接下来将光罩上的电路图刻蚀到晶圆上，这些工序都是由晶圆代工厂完成的。主要包括扩散、薄膜生长、光刻、刻蚀、离子注入、抛光等工序，对应设备主要有扩散炉、氧化炉、CVD/PVD 设备、清洗设备、光刻机、刻蚀系统、离子注入机、抛光机等。

　　光刻机是全产线核心，光刻的成本可占到整个硅片制造工艺的 30%以上，耗费时间约占整个硅片加工流程的 40%-60%。根据 SEMATECH 的研究，1970 年代，光刻机的单价在几十万美元，并且约每 4.4 年价格翻一倍。目前，先进光刻机的单价一般都超过 2000 万美金，荷兰 ASML 最新出品的 EUV 光刻机价格达到一亿美金。光刻机可占半导体设备投资的20~25%。

　　(5)IC 封测属于半导体制造的后道工艺，主要可分为背面减薄、贴膜、划片、装片、键合、塑封、电镀、退货、切筋成型和测试打印 10 个工序。IC 封测阶段工艺相对于前道(IC 设计)及中道(IC 制造)而言技术难度较低，设备的技术壁垒相对而言也较低，我国有望在该领域率先实现突破。

　　封测环节属于劳动密集型，技术含量较低。我国在集成电路发展早期，以此为突破口并实现了长足发展，因此封装测试产业在我国占比最大，并已成为我国集成电路产业链中最具国际竞争力的环节。尤其是长川科技、上海新阳以及中电 15 所及中电 48 所，在划片设备、键合设备、电镀设备等领域实现了技术突破，国产替代优势明显。

　　半导体设备技术壁垒较高，国内半导体厂商设备多依赖进口，国内产业相对薄弱。从全球范围看，美国、日本、荷兰是世界半导体装备制造的三大强国：美国公司在等离子体刻蚀设备、离子注入机、薄膜沉积设备、掩膜版制造设备、检测设备、测试设备、表面处理等设备中具有竞争优势；日本公司在光刻机、刻蚀机、沉积设备、清洗设备、涂胶显影设备、退火设备、检测设备、测试设备等领域占据优势；荷兰公司则在高端光刻机、垂直扩散炉等方面领先。